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今日粉体 世嘉科技拟195亿元投建5G陶瓷波导滤波

作者:admin 发布时间:2019-07-06 17:36 浏览:

  原标题:今日粉体 世嘉科技拟1.95亿元投建5G陶瓷波导滤波器项目;Cree完成第一批碳化硅测试晶片

  世嘉科技10月21日晚间公告,为提前规划陶瓷波导滤波器产能,公司拟向江苏省苏州市浒墅关经济技术开发区购买◆◁•土地使用权,用于建设“世嘉科技新建5G陶瓷▪▲□◁波导滤波器项目”。本次投资计划总金额为1.95亿元。

  Cree公司声明,Cree正在朝着其计划在Marcy Nanocenter建造的制造工厂实现2022年生产碳化硅晶片的目标取得进展。

  Cree和纽约研究,经济进步,技术,工程与科学中心(又称纽约州CREATES)上周联手在奥尔巴尼纽约州立大学理工学院完成了第一批碳化硅测试晶片。新工厂将成为世界上第一个生产200毫米碳化硅晶片的工厂。

  据道,力拓公司发现,不用新开发矿山,公司就可以成为美国最大电池级锂产品◆▼生产商。

  经过试验,力拓在美国加利福尼亚州的博伦(Boron)矿山在选矿工艺上取得突破,能够从该矿废石中提取电池级碳酸锂产品。力拓原本希望从废石中寻找金和其他矿产,结果发现部分废石中锂的品位比美国一些开发项目还高。

  力拓能源和矿物事业部主管博德·巴塔尔(Bold Baatar)表示,如果试验继续取得成功,无需再采矿,该矿就可以成为美国最大电池级锂矿山。

  初步小型试验表明,通过磨矿和淋滤,能够回收锂。博伦废矿可供利用90年。不过,目前该项目面临的挑战是如何优化工艺以达到商业化生产。

  截至到9月底,2019年锂价已经下跌了17%,但同期锂消费量增幅却高达14-16%。

  基准矿业情报机构(BMI,Benchmark Minerals Intelligence)认为,短期内锂需求量将出现两位数增长,从长期看消费增长趋势明显。

  BMI预测,到2030年,碳酸锂的需◆■求量将增至220万吨,但目前供应量只有167万吨。

  “锑化物半导体为突破传统体▽•●◆系的技术封锁,提供了自主掌握命门技术的钥匙。”日前,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员、国家重点研发计划量子调控与量子信息项目负责人牛智川接受科技日报记者采访,“半导体科学成为信息时代的战略性科技领域,首先得益于上世纪初量子理论在固态体系中的衍生发展与深入完善,同时又依赖于半导体制造技术的创新迭代与产业应用。”牛智△▪▲□△•●川说。

  牛智川介绍,目前,具有重大发展潜力成为第四代半导体技术的主要体系有:窄带隙•□▼◁▼的锑化镓、铟化砷化合物半导体;超宽带隙的氧化物材料;其他各类低维材料如碳基纳米材料、二维原子晶体材☆△◆▲■料等。

  新体系中的锑化物半导体当之无愧占据了第四代半导体的核心地位。锑化物半导体作为经典Ⅲ-Ⅴ族体▲★-●系在本世纪初重新得到广泛重视。从2009年起国外将锑化物半导体相关的材料和器件列为出口封锁和垄断技术。

  “锑化物半导体在开发下一代的小体积、轻重量、低功耗、低成本器件,及其要求极为苛刻的应用方面具有不可替代的独特优势。”牛智川说。

  从2005年开始,我国锑化物半导体研究进入快车道。中科院▲=○▼半导体研究所、上海技术物理研究所等研究机构率先突破了锑化镓基砷化铟/锑化镓▷•●超晶格焦平面技术,性能基本保持与国际同步的发展水平。中国科学院半导体研究所还研制出多种规格的锑化镓基铟镓砷锑量子阱激光器。

  “与国外相比,国内的红外器件与集成组件长期存在技术代差,无法满足相关◇…=▲装备技术的换代发展。锑化物半导体光电器件具有优良的性能和低廉的价格,具备化解这个矛盾的关键优势。”牛智川说,我国在锑化物半导体技术方面的研究成果为此提供了赶超途径。

  如今,国内的锑化物超晶格探测器、量子阱激光器技术等正在步入产业化应用发展阶段。比如,中科院半导体所研制的锑化镓衬底实现了2—3英寸直径衬底的量产,最大尺寸达到4英寸;同时,实现了2—3英寸直径、500—1000片/年的锑化物多功能低维材料外延晶圆的开发,研发了4英寸分子束外延技术,突破了国外封锁,保障了我国独立研发锑化物半导体技术的可持续性。

  无论是技术创新的前沿性还是重大应用的迫切性,开展第四代半导体锑化物器件技术的研发与应用势在必行。对此,牛智川说,他和团队已经做好准备。

  资讯来源:证券时报、Cree、中华人民共和国自然资源部、中华人民共和国自◇=△▲然资源部、科技日报

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